拉曼光譜的能力已在半導體材料領域得到了充分利用。它可以在不進行樣品前處理的情況下檢測集成電路中的微不均勻性，光電，微電子和傳感器設備中的缺陷，這些缺陷對它們可能對裝置性能的影響具有特殊的技術意義。該方法還允許對半導體的結構和電性能進行定量和非破壞性的微觀分析。這些主要包括離子注入引起的損傷，異質結構中的應變，晶體學取向的測量，多晶粒尺寸和自由載流子濃度。

拉曼光譜分析儀可檢驗項目：
材料純度
缺陷分析
合金成份
超晶格結構
污染物鑑定
半導體異質結構
異質接面的摻雜效應
本質應力＆應變的特性因素
光致螢光的顯微分析材料純度

實例檢測：光阻劑的測試